CIFRE -Fiabilité des transistors en Nitrure de Gallium sur substrat Silicium M/F
Location
Crolles, Isère | France
Job description
General information
Reference
2023-33495
Job level
20 - Professional First Level
Position description
Posting title
CIFRE –Fiabilité des transistors en Nitrure de Gallium sur substrat Silicium M/F
Regular/Temporary
Temporary
Contract duration (nb of months)
36
Job description
POURQUOI NOUS REJOINDRE
Chez ST, nous sommes 48 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques.
Nous collaborons avec 200 000 clients et des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits et des solutions qui répondent à leurs défis et à la nécessité de contribuer à un monde plus durable. Nos technologies de pointe permettent une mobilité plus intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie, de la puissance et un déploiement à grande échelle de l’Internet des objets (IoT) et de la 5G.
ST a reçu les certifications Top Employer France et HappyTrainees 2022. Elles nous reconnaissent en tant qu’employeur de référence et démontrent notre engagement à faire de l’humain une priorité.
NOTRE FUTURE COLLABORATION
Vous intégrerez une équipe dynamique, au sein du département Device characterization & Reliability de ST Microelectronics et du CEA/LETI
Votre sujet portera sur la fiabilité des composants en Nitrure de Gallium sur substrat Silicium:
Ces transistors sont de très bons candidats pour les applications d’amplification de puissance aux fréquences millimétriques de type 5G (~30GHz), de par leur densité de puissance, leur efficacité énergétique et leur capacité d’intégration avec des circuits logiques.
La technologie GaN/Si du CEA/LETI est actuellement à l’état de l’art mondial en bande Ka et vise les applications de 30 à 100GHz.
Cependant, peu d’études existent à l’heure actuelle sur les mécanismes de dégradation propre à ce type de composants sur substrat silicium.
Il est fondamental de mieux comprendre ces mécanismes d’usure, de les quantifier et de les modéliser afin de cerner le potentiel et les limites d’utilisation pour finalement offrir un dispositif fiable et performant.
Votre objectif dans ces travaux de thèse est d’étudier le vieillissement de ces transistors en conditions opérationnelles , à l’aide de mesures DC & RF, liées à la physique du composant. Tout d’abord, différentes briques process seront évaluées séparément afin d’évaluer les mécanismes de dégradation observables et couplées aux analyses physiques disponibles au CEA LETI(MEB, TEM, EDX, SIMS, etc…). Ensuite, les composants seront soumis à différentes conditions de stress électrique afin de modéliser les dérives de leurs paramètres DC & RF. Enfin, l’ensemble de ces résultats seront utilisés pour expliquer et modéliser le vieillissement des transistors en fonctionnement large signal RF (stress RF CW).
VOUS BENEFICIEREZ DE
- Un plan de formation qui vous accompagnera pour votre prise de poste et tout au long de votre carrière.
- Tous les avantages d'un grand groupe : mutuelle haut de gamme, CSE, intéressement, CET…
Profile
VOTRE PROFIL
- Vous êtes titulaire d'un diplôme d'ingénieur ou d'un niveau équivalent, avec une spécialisation en physique des semi-conducteurs, physique du solide, micro/nano technologies
- Vous êtes structuré, méthodique et rigoureux.
- Vous êtes ouvert(e) d'esprit, et vous aimez travailler en équipe sur des domaines pluridisciplinaires.
VOTRE LIEU DE TRAVAIL
Le site de Crolles compte plus de 4700 salariés venant de 45 pays différents et couvre 40 hectares. Située à 20kms de Grenoble et 40kms de Chambéry, Crolles est une ville dynamique et nature, alliant excellence technologique et qualité de vie.
Position location
Job location
Europe, France, Crolles
Candidate criteria
Education level required
5 - Master degree
Experience level required
Less than 2 years
Languages
English (2- Business fluent)
Requester
Desired start date
01/09/2023
Job tags
Salary
